Efecto Hall en Semiconductores

 

 

Para un campo B Positivo

 

 

La intensidad a través de la muestra será de 10mA. Mediremos la intensidad que pasa por las espiras del electroimán y calcularemos el campo correspondiente según la expresión (2), y su error según la (3).

 

Los datos correspondientes son:

 

IB (A)  ERROR DE IB          V (mV)            ERROR DE V           B (mT)            ERROR DE B          

0,00    0,01    -8,6     0,1       9          2         

0,49    0,01    -11,9   0,1       63        2         

1,03    0,01    -16,0   0,1       122     2         

1,47    0,01    -19,4   0,1       171     3         

1,99    0,01    -23,2   0,1       228     3         

2,51    0,01    -26,9   0,1       285     3         

3,01    0,01    -30,2   0,1       340     3         

3,50    0,01    -33,2   0,1       394     4         

4,01    0,01    -36,0   0,1       450     4         

 

 

Representemos ahora el voltaje medido frente al campo magnético B al que sometemos la muestra:

fig. 8

 

Haciendo ahora una regresión lineal, obtenemos:

 

Linear Regression for DATA1_B:

Y = A + B * X

Param            Value  sd

A         -8,31592        0,30095

B         -0,06332        0,00112

R  = -0,99891

SD = 0,4764, N = 9

P = 1,3847E-10

           

 

La pendiente de esta curva es pues -0.063+/-0.001.

De la expresión (1) podemos deducir que en este caso:

 

Con lo que nos queda un valor de RH (calculando el error a partir de (4)):

 

RH = (-6.3+/-0.1)E-3 WmT-1