Efecto Hall en Semiconductores | |
Para un campo B Positivo
La intensidad a través de la muestra será de 10mA.
Mediremos la intensidad que pasa por las espiras del electroimán y
calcularemos el campo correspondiente según la expresión (2), y su error
según la (3). Los datos correspondientes son: IB
(A)
ERROR DE IB
V (mV)
ERROR DE V
B (mT)
ERROR DE B
0,00
0,01
-8,6
0,1
9
2
0,49
0,01
-11,9
0,1
63
2
1,03
0,01
-16,0
0,1
122
2
1,47
0,01
-19,4
0,1
171
3
1,99
0,01
-23,2
0,1
228
3
2,51
0,01
-26,9
0,1
285
3
3,01
0,01
-30,2
0,1
340
3
3,50
0,01
-33,2
0,1
394
4
4,01
0,01
-36,0
0,1
450
4
Representemos ahora el voltaje medido frente al campo magnético
B al que sometemos la muestra:
Haciendo ahora una regresión lineal, obtenemos: Linear Regression for DATA1_B: Y = A + B * X Param
Value sd A
-8,31592
0,30095 B
-0,06332
0,00112 R = -0,99891 SD = 0,4764, N = 9 P = 1,3847E-10
La pendiente de esta curva es pues -0.063+/-0.001. De la expresión (1) podemos deducir que en este caso:
Con lo que nos queda un valor de RH
(calculando el error a partir de (4)): RH = (-6.3+/-0.1)E-3
WmT-1
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