Efecto Hall en Semiconductores | |
Para un campo B Negativo
Procedemos ahora de forma completamente análoga a la
anterior, pero invirtiendo el sentido en que la intensidad recorre las
espiras de las bobinas. En esta ocasión los datos son: IB
(A)
ERROR DE IB
V (mV)
ERROR DE V
B (mT)
ERROR DE B
0,00
0,01
-7,1
0,1
9
2
-0,49
0,01
-3,8
0,1
-45
2
-1,05
0,01
0,4
0,1
-107
2
-1,52
0,01
3,9
0,1
-158
3
-1,99
0,01
7,3
0,1
-210
3
-2,49
0,01
10,8
0,1
-265
3
-3,00
0,01
14,4
0,1
-321
3
-3,53
0,01
17,6
0,1
-379
4
-4,15
0,01
21,0
0,1
-448
4
Y la gráfica:
El ajuste da: Linear Regression for DATA1_B: Y = A + B * X Param
Value sd A
-6,25265
0,28421 B
-0,06277
0,0011 R = -0,99893 SD = 0,47834, N = 9 P = 1,3356E-10
Donde vemos que la pendiente es en esta ocasión
-0.063+/-0.001. Operando igual que en el caso anterior, y fijándonos que
esta pendiente es virtualmente la misma que en aquel caso, tenemos, una
vez más: RH =
(-6.3+/-0.1)E-3 WmT-1
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